根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校集成电路学院傅邱云老师团队的“一种基于多铁异质结交换偏置效应的电写磁读存储器”成果转化相关事项公示如下：
一、成果名称及简介：
成果包含1项知识产权：
发明专利：一种基于多铁异质结交换偏置效应的电写磁读存储器
发明人：傅邱云，仲世豪，周令
专利号：ZL201910415264.6
专利权人：华中科技大学
简介：基于多铁材料的磁电存储器具有非易失性、高速度、低功耗和高密度特点，兼具动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能，是下一代超低功耗存储技术领域重要研究方向。研究多铁异质结磁电与界面交换耦合，诠释界面上晶格、轨道、自旋、电荷状态的演化过程，始终是本领域的研究热点。基于磁电与界面交换耦合的可逆电场调控交换偏置效应被用于设计多种磁电存储器，但目前研究结果中其截止温度过低导致工作温度难以达到室温，限制了磁电存储器的实际应用。本项目选择高居里温度的反尖晶石型铁氧体MFe2O4（M=Fe、Co、Ni）作为铁磁材料，采用外延生长的方式制备高质量的薄膜和MFe2O4/BiFeO3异质结；设计简单易操作的器件模型，系统地研究电控交换偏置耦合效应的形成机制，研究异质界面状态的演化过程，找出影响可逆操作的关键因素，提高异质结交换偏置的截止温度至300K左右，发展出相关理论，在室温下实现交换偏置效应的可逆电场调控。
二、拟交易价格
协议转让：50.4万元。
三、价格形成过程
学校委托评估公司对该项目进行资产评估，评估价值为50.14万元。经全体发明人同意，并与苏州宽温电子科技有限公司协商，双方同意以协议定价50.4万元实施转让。
特此公示，公示期15日，自2023年7月7日起至2023年7月21日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。
联系人：谭老师，曹老师
联系电话：87558732
科学技术发展院
2023年7月7日
